MULTILAYER PCB
諮詢該板型報價
高多層板
面向 AI 伺服器、通訊背板與工控主板的高層數、大尺寸、厚板需求。以穩定的壓合對位、精確的阻抗控制與成熟的背鑽製程，保證高厚徑比條件下的孔壁品質與訊號一致性。
面向 AI 伺服器、通訊背板與工控主板的高層數、大尺寸、厚板需求。以穩定的壓合對位、精確的阻抗控制與成熟的背鑽製程，保證高厚徑比條件下的孔壁品質與訊號一致性。
服務於 800G / 1.6T 光模組、5G 通訊與雷達等高頻高速鏈路。以低損耗材料、混合層壓與金屬基複合結構，配合線寬精度與銅箔粗糙度控制，把插損做在設計視窗之內。
以雷射盲孔、機械埋孔與盤中孔實現高密度互連，為算力加速卡、光模組與小型化終端釋放佈線空間。支援 1+N+1 / 2+N+2 / 3+N+3 疊構與錯孔、疊孔組合，1–3 階結構穩定量產；任意層互聯（ELIC）與更高階結構按專案工程評審，滿足高 IO 密度與短互連路徑的設計需求。
為電源母排、功率器件與新能源電控設計。以 1–13 OZ 厚銅承載大電流，配合高 TG 基材提升耐熱與尺寸穩定性，外層厚銅與外層基銅組合可滿足嚴苛的載流與散熱要求。
| 能力項目 | 規格範圍 |
|---|---|
| 銅厚範圍 | 1 – 13 OZ（外層基銅最高 18 OZ） |
| 基材 Tg | Tg 150 / 170 / 180 ℃ |
| 板厚範圍 | 0.6 – 8.0 mm |
| 最小線寬 / 間距 | ≥ 4 / 4 mil（隨銅厚調整） |
| 最大層數（厚銅結構） | 16 層 |
| 產品認證 | UL 認證 / RoHS |
| 特殊製程 | 局部厚銅、埋銅嵌銅、熱電分離 |
| 表面處理 | 沉金 / 噴錫 / OSP / 硬金 |
以鋁基、銅基金屬基材解決大功率器件的散熱瓶頸，並可結合熱電分離結構，把熱量從發熱焊墊直接導向金屬層，在 LED、功率模組與汽車照明等場景提供更高的熱可靠度。
| 能力項目 | 規格範圍 |
|---|---|
| 金屬基材 | 鋁基、銅基 |
| 銅箔厚度 | ≤ 6 OZ |
| 線路層數 | 單面 / 雙面 / 金屬芯多層 |
| 導熱係數 | 2 – 12 W/m·K |
| 熱電分離 · 絕緣層導熱 | 0.3 – 2 W/m·K |
| 熱電分離 · 表面熱焊墊 | 持平 / 下沉處理 |
| 熱電分離 · 銅基厚度 | 0.8 – 3.2 mm |
| 特殊製程 | 金屬基（芯）板、局部嵌銅、板邊金屬化 |
面向射頻功放、雷射器件與功率半導體封裝的高導熱絕緣基板。氧化鋁與氮化鋁材料具備高導熱、高絕緣與耐高溫特性，在小型化高頻高功率設計中替代傳統金屬基結構。
| 能力項目 | 規格範圍 |
|---|---|
| 主要材料 | Al₂O₃（氧化鋁）/ AlN（氮化鋁） |
| 導熱係數 | Al₂O₃ 約 24 W/m·K；AlN 最高 170 W/m·K |
| 製作製程 | DPC 直接鍍銅 / 厚膜印刷 |
| 線路精度 | 精細線路，支援高密度焊墊排布 |
| 耐溫特性 | 高耐溫、低熱膨脹，適合高低溫循環 |
| 典型結構 | 單面 / 雙面 / 多層共燒結構 |
以 FR-4 剛性區與 PI 撓性區層壓結合，實現三維佈線、減少連接器與焊點數量，提升整機裝配可靠度與空間利用率，廣泛應用於醫療、便攜設備與精密攝影機模組。
| 能力項目 | 規格範圍 |
|---|---|
| 結構類型 | 單雙面撓性 / 多層軟硬結合 |
| 材料組合 | FR-4 + PI（聚醯亞胺）混壓 |
| 彎折形態 | 靜態彎折 / 動態彎折（按設計確認） |
| 層數範圍 | 2 – 16 層（含軟硬結合多層） |
| 補強方式 | FR-4 補強、不鏽鋼 / 鋁補強、EMI 遮蔽層 |
| 表面處理 | 沉金 / 沉錫 / OSP / 硬金 |
| 特殊製程 | 台階開窗、半孔、盲埋孔、阻抗控制 |
當標準結構無法滿足裝配或性能要求時，通過台階金手指、控深背鑽、半孔、嵌銅與混壓介質等客製製程，把設計意圖落到可製造的板件上。此類板型建議在設計早期介入評審。
| 製程項目 | 能力說明 |
|---|---|
| 台階金手指 | 板厚 ≥ 2.0 mm，金手指厚度 ≤ 1.6 ± 0.1 mm，卡槽精度 ±0.05 mm |
| 控深背鑽 | 背鑽深度控制，精度 ±0.05 mm |
| 半孔 / 金屬化半孔 | 模組化拼裝與邊掛製程 |
| 金屬化板邊 | 板邊金屬化與遮蔽設計 |
| 埋銅 / 嵌銅 | 局部厚銅與嵌銅散熱結構 |
| 台階安裝孔 | 階梯孔與沉頭結構 |
| 混合介質層壓 | 不同 Dk/Df 材料局部混壓 |
| 最高層數（特種結構） | 金屬基 6 層 / 台階金手指結構 最高 44 層 |
