高多層、高周波高速、HDI、特殊基板を中核に、8つの主要カテゴリーのハイエンドPCBをカバー。全板タイプで試作特急と中小ロットへの拡張に対応し、工程能力パラメータは以下の各項目に記載しています。
AIサーバー、通信バックプレーン、産業用メインボードの高層数・大尺寸・厚肉基板の需要に対応。安定した圧合位置合わせ、高精度インピーダンス制御、成熟したバックドリルにより、高アスペクト比でも穴壁品質と信号一致性を保証します。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 層数範囲 | 4～32層 |
| 完成基板厚 | 0.4 – 8.0 mm |
| 最大加工サイズ | 610 × 1100 mm |
| 最小線幅/間隔 | 3/3mil（HDI構造は2/2mil） |
| 完成最小穴径 | 機械ドリル0.15mm |
| 最大アスペクト比 | 20:1（バックプレーン構造は25:1） |
| インピーダンス制御 | ±8%（標準±10%） |
| 表面処理 | ENIG/沈銀/浸漬錫/OSP/HASL/ハードゴールド |
800G/1.6T光モジュール、5G通信、レーダーなどの高周波高速リンクに対応。低損失材料、混合積層、金属ベース複合構造に加え、線幅精度と銅箔粗さ制御により、挿入損失を設計窓内に収めます。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 主な材料 | Rogers、Taconic、Arlon、パナソニック、TUC、旺霊 |
| 構成構造 | 単一材料/混合積層/金属ベース複合 |
| 最大層数 | 16層 |
| 線幅精度 | ±8 μm |
| 金手指寸法偏差 | ±0.075 mm |
| 信号伝送速度 | ≤100Gbps/チャネル（112G/224G PAM4リンク設計に対応） |
| 表面処理 | ENIG/OSP/浸漬錫/HASL |
| 特殊プロセス | ブラインド・埋め込みビア、ビアインパッド、混合積層 |
レーザーブラインドビア、機械埋め込みビア、ビアインパッドにより高密度配線を実現し、アクセラレーターカード、光モジュール、小型端末に配線スペースを解放します。1～3階層構造とスタックビアで高IO密度・短配線経路の設計需要に対応します。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| HDI階数 | 1～3階層 |
| レーザーブラインドビアの最小穴径 | 0.10 mm |
| 機械ドリルの最小穴径 | 0.15 mm |
| 最小線幅/間隔 | 2 / 2 mil |
| 基板厚範囲 | 0.4 – 3.0 mm |
| 穴タイプ | スルーホール/ブラインド/埋め込み/ビアインパッド/スタックビア |
| 穴充填方式 | レジン塞ぎ/電解充填（POFV） |
| 層間位置合わせ精度 | ±0.05 mm |
電源バスバー、パワーデバイス、新エネルギー車の電動制御向けに設計。1～13OZの厚銅で大電流を伝送し、高Tg基材で耐熱性と寸法安定性を向上。外層厚銅と基銅の組み合わせで厳しい通電・放熱要件を満たします。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 銅厚範囲 | 1～13OZ（外層基銅は最大18OZ） |
| 基材Tg | Tg 150 / 170 / 180 ℃ |
| 基板厚範囲 | 0.6 – 8.0 mm |
| 最小線幅/間隔 | ≥4/4mil（銅厚に応じて調整） |
| 最大层数（厚銅構造） | 16層 |
| 製品認証 | UL認証/RoHS |
| 特殊プロセス | 局部厚銅、埋込銅、熱電分離 |
| 表面処理 | ENIG/HASL/OSP/ハードゴールド |
アルミ・銅ベース材料で大電力デバイスの放熱ボトルネックを解消。熱電分離構造と組み合わせれば、発熱パッドから金属層へ熱を直接伝導でき、LED、パワーモジュール、車載照明などでより高い熱信頼性を提供します。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 金属基材 | アルミ基板・銅基板 |
| 銅箔厚 | ≤ 6 OZ |
| 回路層数 | 片面/両面/金属コア多層 |
| 熱伝導率 | 2 – 12 W/m·K |
| 熱電分離・絶縁層熱伝導 | 0.3 – 2 W/m·K |
| 熱電分離・表面サーマルパッド | フラット/沈み込み処理 |
| 熱電分離・銅ベース厚 | 0.8 – 3.2 mm |
| 特殊プロセス | 金属コア基板、局部埋込銅、基板端部メタライズ |
RFパワーアンプ、レーザーデバイス、パワー半導体パッケージ向けの高熱伝導絶縁基板。酸化アルミと窒化アルミは高熱伝導・高絶縁・耐熱性を備え、小型化された高周波・大電力設計において従来の金属ベース構造を代替します。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 主要材料 | Al₂O₃（酸化アルミ）/ AlN（窒化アルミ） |
| 熱伝導率 | Al₂O₃ 約24W/m·K、AlN 最大170W/m·K |
| 製造プロセス | DPC直接銅めっき/厚膜印刷 |
| パターン精度 | ファインパターンで高密度パッド配置に対応 |
| 耐熱特性 | 高耐熱・低熱膨張で温度サイクルに適合 |
| 代表的な構造 | 片面/両面/多層共焼成構造 |
FR-4のリジッド部とPIのフレキ部を積層統合し、3D配線を実現、コネクタと半田接合を削減して組立信頼性とスペース効率を向上。医療機器、ポータブル機器、精密カメラモジュールに広く採用されています。
| 能力項目 | 仕様範囲 |
|---|---|
| 構造タイプ | 片面・両面フレックス/多層リジッドフレックス |
| 材料の組み合わせ | FR-4+PI（ポリイミド）混合積層 |
| 屈曲形態 | 静的屈曲/動的屈曲（設計時に確認） |
| 層数範囲 | 2～16層（リジッドフレックス多層を含む） |
| 補強方式 | FR-4補強、ステンレス/アルミ補強、EMIシールド層 |
| 表面処理 | ENIG/浸漬錫/OSP/ハードゴールド |
| 特殊プロセス | 段差開窓、ハーフホール、ブラインド/埋め込みビア、インピーダンス制御 |
標準構造では組立・性能要件を満たせない場合、段差金手指、深さ制御バックドリル、ハーフホール、埋込銅、混合誘電体などのカスタムプロセスで設計意図を製造可能な基板に落とし込みます。設計早期からのレビュー参加を推奨します。
| プロセス項目 | 能力説明 |
|---|---|
| 段差金手指 | 基板厚≥2.0mm、金手指厚≤1.6±0.1mm、スロット精度±0.05mm |
| 深さ制御バックドリル | バックドリルの深さ制御、精度±0.05mm |
| ハーフホール/メタライズハーフホール | モジュール組み立てとエッジ実装工法 |
| メタライズ基板端部 | 基板端部メタライズとシールド設計 |
| 埋込銅/銅インレイ | 局部厚銅と埋込銅の放熱構造 |
| 段差取り付け穴 | 段穴と皿穴構造 |
| 混合誘電体積層 | 異なるDk/Df材料の局部混合積層 |
| 最大层数（特殊構造） | 金属ベース6層/段差金手指構造は最大44層 |