HDI基板・ブラインド/埋め込みビア基板

レーザーブラインドビア、機械埋め込みビア、ビアインパッドにより高密度配線を実現し、アクセラレーターカード、光モジュール、小型端末に配線スペースを解放します。1+N+1 / 2+N+2 / 3+N+3の積層構造とスタッガー/スタックビアの組み合わせに対応し、1～3階層構造を安定量産。エニレイヤIVH（ELIC）やより高階層の構造はプロジェクトごとの工程評価で対応し、高IO密度・短配線経路の設計需要に応えます。

レーザーブラインドビア最小0.10mm（アスペクト比≤1:1）、スタックビア位置精度±0.05mm、HDI線幅/間隔2/2mil（LDI露光）。1+N+1～3+N+3は安定量産、エニレイヤーとクロスステップは案件ごとに工程審査します。