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以高多層、高頻高速、HDI 與特種板為核心,覆蓋 8 大類高端 PCB 產品。全部板型支援樣板加急與中小批量延伸服務,工藝能力參數見下方各項明細。

高多層板 高頻高速板 HDI / 盲埋孔 高TG厚銅 金屬基(芯)板 陶瓷基板 軟硬結合板 特種結構與工藝
MULTILAYER PCB

高多層板

面向 AI 伺服器、通訊背板與工控主板的高層數、大尺寸、厚板需求。以穩定的壓合對位、精確的阻抗控制與成熟的背鑽工藝,保證高厚徑比條件下的孔壁品質與信號一致性。

能力項目規格範圍
層數範圍4 – 32 層
成品板厚0.4 – 8.0 mm
最大加工尺寸610 × 1100 mm
最小線寬 / 間距3 / 3 mil(HDI 結構 2 / 2 mil)
成品最小孔徑機械孔 0.15 mm
最大厚徑比20:1(背板結構 25:1)
阻抗控制±8%(常規 ±10%)
表面處理沉金 / 沉銀 / 沉錫 / OSP / 噴錫 / 硬金
技術特點
  • 高多層製作能力,層間對位穩定
  • 精確阻抗控制,支援多組差分與單端要求
  • 大尺寸、厚背板製作能力
  • 各類特種材料及混合介質層壓
  • 特殊工藝:長短金手指、背鑽、台階槽
AI 伺服器主機板通訊背板工控主機板醫療設備
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HIGH FREQUENCY / HIGH SPEED PCB

高頻高速板

服務於 800G / 1.6T 光模組、5G 通訊與雷達等高頻高速鏈路。以低損耗材料、混合層壓與金屬基複合結構,配合線寬精度與銅箔粗糙度控制,把插損做在設計視窗之內。

能力項目規格範圍
常用材料Rogers、Taconic、Arlon、松下、台耀、旺靈
製作結構單一材料 / 混合層壓 / 金屬基複合
最高層數16 層
線寬精度±8 μm
金手指尺寸偏差±0.075 mm
信號傳輸速率≤ 100 Gbps 單通道(支援 112G / 224G PAM4 鏈路設計)
表面處理沉金 / OSP / 化學錫 / 噴錫
特殊工藝盲埋孔、盤中孔、混壓
技術特點
  • PTFE 與高速材料多層、混壓技術成熟
  • 低損耗材料搭配,控制插損與偏斜
  • 線寬精度 ±8 μm,EA 值控制良好
  • 毫米波雷達板:PTFE + FR-4 混壓結構
  • 光模組金手指公差穩定,適配高頻連接
800G / 1.6T 光模組5G基地台毫米波雷達衛星通訊
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HDI · BLIND & BURIED VIAS

HDI 板 / 盲埋孔板

以雷射盲孔、機械埋孔與盤中孔實現高密度互連,為算力加速卡、光模組與小型化終端釋放佈線空間。1–3 階結構與疊孔工藝可滿足高 IO 密度與短互連路徑的設計需求。

能力項目規格範圍
HDI 階數1 – 3 階
雷射盲孔最小孔徑0.10 mm
機械鑽孔最小孔徑0.15 mm
最小線寬 / 間距2 / 2 mil
板厚範圍0.4 – 3.0 mm
孔類型通孔 / 盲孔 / 埋孔 / 盤中孔 / 疊孔
填孔方式樹脂塞孔 / 電鍍填孔(POFV)
層間對位精度±0.05 mm
技術特點
  • 成熟可靠的盲埋孔工藝與疊孔結構
  • 盤中孔(POFV)釋放 BGA 區域佈線
  • 精細線路 2/2 mil,支援高密度出線
  • 雷射鑽孔與樹脂塞孔工藝穩定
  • 半孔與金屬化半孔工藝支援模組化拼裝
AI加速卡光模組可穿戴設備物聯網模組
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HIGH TG HEAVY COPPER PCB

高TG厚銅板

為電源母排、功率器件與新能源電控設計。以 1–13 OZ 厚銅承載大電流,配合高 TG 基材提升耐熱與尺寸穩定性,外層厚銅與外層基銅組合可滿足嚴苛的載流與散熱要求。

能力項目規格範圍
銅厚範圍1 – 13 OZ(外層基銅最高 18 OZ)
基材 TgTg 150 / 170 / 180 ℃
板厚範圍0.6 – 8.0 mm
最小線寬 / 間距≥ 4 / 4 mil(隨銅厚調整)
最大層數(厚銅結構)16 層
產品認證UL 認證 / RoHS
特殊工藝局部厚銅、埋銅嵌銅、熱電分離
表面處理沉金 / 噴錫 / OSP / 硬金
技術特點
  • 超厚銅母排製作工藝,1–13 OZ 多層板
  • 厚銅蝕刻與填膠控制,避免樹脂空洞
  • 各類高TG、高導熱絕緣基材可選
  • 局部嵌銅與埋銅方案提升散熱效率
  • 通過 UL 認證,適合長期高負載工況
電源母排新能源汽車電控功率模組工業電源
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METAL BASE / CORE PCB

金屬基(芯)板

以鋁基、銅基金屬基材解決大功率器件的散熱瓶頸,並可結合熱電分離結構,把熱量從發熱焊盤直接導向金屬層,在 LED、功率模組與汽車照明等場景提供更高的熱可靠性。

能力項目規格範圍
金屬基材鋁基、銅基
銅箔厚度≤ 6 OZ
線路層數單面 / 雙面 / 金屬芯多層
導熱係數2 – 12 W/m·K
熱電分離 · 絕緣層導熱0.3 – 2 W/m·K
熱電分離 · 表面熱焊盤持平 / 下沉處理
熱電分離 · 銅基厚度0.8 – 3.2 mm
特殊工藝金屬基(芯)板、局部嵌銅、板邊金屬化
技術特點
  • 鋁基 / 銅基雙路線,按散熱預算選型
  • 熱電分離結構,熱焊盤持平或下沉
  • 金屬芯多層板結構設計與製作經驗
  • 耐高壓絕緣層,兼顧散熱與電氣安全
  • 與高頻材料複合,實現高頻 + 散熱組合
LED照明大功率模組汽車照明電源適配
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CERAMIC SUBSTRATE

陶瓷基板

面向射頻功放、雷射器件與功率半導體封裝的高導熱絕緣基板。氧化鋁與氮化鋁材料具備高導熱、高絕緣與耐高溫特性,在小型化高頻高功率設計中替代傳統金屬基結構。

能力項目規格範圍
主要材料Al₂O₃(氧化鋁)/ AlN(氮化鋁)
導熱係數Al₂O₃ 約 24 W/m·K;AlN 最高 170 W/m·K
製作工藝DPC 直接鍍銅 / 厚膜印刷
線路精度精細線路,支援高密度焊盤排布
耐溫特性高耐溫、低熱膨脹,適合高低溫循環
典型結構單面 / 雙面 / 多層共燒結構
陶瓷基板多為定制結構件,請提供應用功率、散熱要求與連接方式,工程團隊將給出材料與工藝建議。
技術特點
  • 高導熱:AlN 材料滿足大功率密度散熱
  • 高絕緣強度,適合高壓功率場景
  • 熱膨脹係數低,與晶片匹配性好
  • 支援精細線路與厚銅導體組合
射頻功放雷射器件功率半導體航空航天
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RIGID-FLEX PCB

軟硬結合板

以 FR-4 剛性區與 PI 撓性區層壓結合,實現三維佈線、減少連接器與焊點數量,提升整機裝配可靠性與空間利用率,廣泛應用於醫療、便攜設備與精密攝影機模組。

能力項目規格範圍
結構類型單雙面撓性 / 多層軟硬結合
材料組合FR-4 + PI(聚醯亞胺)混壓
彎折形態靜態彎折 / 動態彎折(按設計確認)
層數範圍2 – 16 層(含軟硬結合多層)
補強方式FR-4 補強、不鏽鋼 / 鋁補強、EMI 屏蔽層
表面處理沉金 / 沉錫 / OSP / 硬金
特殊工藝台階開窗、半孔、盲埋孔、阻抗控制
技術特點
  • 軟硬結合結構設計與混壓工藝成熟
  • 三維佈線減少連接器,提升整機可靠性
  • 補強與屏蔽方案可按結構需求定制
  • 適配薄型化、多高度差裝配場景
醫療電子便攜設備攝影機模組工控整機
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SPECIAL PCB & PROCESS

特種結構與工藝板

當標準結構無法滿足裝配或性能要求時,通過台階金手指、控深背鑽、半孔、嵌銅與混壓介質等定制工藝,把設計意圖落到可製造的板件上。此類板型建議在設計早期介入評審。

工藝項目能力說明
台階金手指板厚 ≥ 2.0 mm,金手指厚度 ≤ 1.6 ± 0.1 mm,卡槽精度 ±0.05 mm
控深背鑽背鑽深度控制,精度 ±0.05 mm
半孔 / 金屬化半孔模組化拼裝與邊掛工藝
金屬化板邊板邊金屬化與屏蔽設計
埋銅 / 嵌銅局部厚銅與嵌銅散熱結構
台階安裝孔階梯孔與沉頭結構
混合介質層壓不同 Dk/Df 材料局部混壓
最高層數(特種結構)金屬基 6 層 / 台階金手指結構 最高 44 層
特種結構板的可製造性差異較大,建議提供完整的疊層圖與裝配要求,由工程團隊評估後再確認報價與交期。
常見組合方案
  • 高多層 + 背鑽 + 長短金手指(通訊背板)
  • HDI + 盤中孔 + 阻抗控制(加速卡)
  • 厚銅 + 嵌銅 + 高 TG(電源模組)
  • 金屬基 + 高頻混壓(高頻功率器件)
  • 軟硬結合 + 阻抗控制(醫療與便攜設備)
通訊背板AI加速卡電源模組國防軍工
評估特殊結構方案

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高端板的需求往往需要定制工藝路線。把圖紙與性能要求發給我們,工程團隊會給出可製造性評估與工藝建議。